Reducere la transport de până la 22 Lei pentru comenzile de peste 500 Lei!

Află mai multe
Memorii RAM

DDR4 Cu Modul 1x16GB Pentru Laptop Codul: MN16GSD42666-SB

Memoria RAM PNY MN16GSD42666-SB upgradează memoria unui laptop cu o capacitate de 16 GB și o viteză de 2666 MHz. Are formatul 260-pin SO-DIMM și latența CAS 19, iar arhitectura sa este Non-ECC...

Memoria RAM PNY MN16GSD42666-SB upgradează memoria unui laptop cu o capacitate de 16 GB și o viteză de 2666 MHz. Are formatul 260-pin SO-DIMM și latența CAS 19, iar arhitectura sa este Non-ECC Unbuffered.

Funcționează la o tensiune de 1,2 V și acceptă specificațiile JEDEC și instalarea Plug & Play.

  • Tip memorie: DDR4
  • Capacitate: 16 GB
  • Număr de module: 1
  • ...
Vezi descrierea completă Vezi descrierea completă

Caracteristici

  • Vezi toate
597 83 Lei
Livrare mar, 10 noi - lun, 16 noi
Gratuită   costul de livrare
Trimis de la Grecia
De la Techstores 4,8 (100)
Grecia
2 bucăți
Vezi Componente PC pe pagina de Techstores
Ce se întâmplă dacă se strică?

Sunteți acoperit de garanția legală de 2 ani. Contactați-ne și vom gestiona întregul proces cu magazinul, asigurându-ne că problema dvs. este rezolvată cu suport prompt printr-o reparație, înlocuire sau rambursare. Află mai multe

Ce se întâmplă dacă mă răzgândesc?

Nicio problemă, atâta timp cât este în termen de 14 zile. Vom veni să-l ridicăm sau poți alege Punctul Skroutz care ți se potrivește, complet gratuit de până la 2 ori pe an, și vă vom returna banii.

Descriere

Descriere

Memoria RAM PNY MN16GSD42666-SB upgradează memoria unui laptop cu o capacitate de 16 GB și o viteză de 2666 MHz. Are formatul 260-pin SO-DIMM și latența CAS 19, iar arhitectura sa este Non-ECC Unbuffered.

Funcționează la o tensiune de 1,2 V și acceptă specificațiile JEDEC și instalarea Plug & Play.

  • Tip memorie: DDR4
  • Capacitate: 16 GB
  • Număr de module: 1
  • Viteză memorie: 2666 MHz
  • Latență CAS: 19
  • Format: 260-pin SO-DIMM
  • Arhitectură: Non-ECC Unbuffered
  • Tensiune de funcționare: 1,2 V
  • Compatibilitate: Laptop
  • Instalare: Plug & Play
  • Specificații: JEDEC
  • Utilizare: Utilizare zilnică și aplicații solicitante

Producător

Vezi descrierea completă

Specificații

Specificații

Cod produs
MN16GSD42666-SB

Specificatii principale

Capacitate Totală
16 GB
Tip
DDR4
Tip calculator
Laptop
Mărime
SO-DIMM GB
Utilizare
Simplu Cotidian
UDIMM
Nu
CUDIMM
Nu

Caracteristici Speciale

Module
1
Latenta CAS
19
RGB Lighting
Nu

Informații importante

Specificațiile sunt colectate de pe site-urile oficiale ale producătorilor. Te rugăm să verifici specificațiile înainte de a finaliza comanda. În cazul în care întâmpini probleme, raportează aici.

Vezi toate specificațiile

Descriere și specificații

Memoria RAM PNY MN16GSD42666-SB upgradează memoria unui laptop cu o capacitate de 16 GB și o viteză de 2666 MHz. Are formatul 260-pin SO-DIMM și latența CAS 19, iar arhitectura sa este Non-ECC Unbuffered.

Funcționează la o tensiune de 1,2 V și acceptă specificațiile JEDEC și instalarea Plug & Play.

  • Tip memorie: DDR4
  • Capacitate: 16 GB
  • Număr de module: 1
  • Viteză memorie: 2666 MHz
  • Latență CAS: 19
  • Format: 260-pin SO-DIMM
  • Arhitectură: Non-ECC Unbuffered
  • Tensiune de funcționare: 1,2 V
  • Compatibilitate: Laptop
  • Instalare: Plug & Play
  • Specificații: JEDEC
  • Utilizare: Utilizare zilnică și aplicații solicitante

Producător

Cod produs
MN16GSD42666-SB

Specificatii principale

Capacitate Totală
16 GB
Tip
DDR4
Tip calculator
Laptop
Mărime
SO-DIMM GB
Utilizare
Simplu Cotidian
UDIMM
Nu
CUDIMM
Nu

Caracteristici Speciale

Module
1
Latenta CAS
19
RGB Lighting
Nu

Informații importante

Specificațiile sunt colectate de pe site-urile oficiale ale producătorilor. Te rugăm să verifici specificațiile înainte de a finaliza comanda. În cazul în care întâmpini probleme, raportează aici.

597,83 Lei
Gratuită   costul de livrare
15% cupon de la magazinul Vstore până la 04/11!
15% cupon de la magazinul Vstore până la 04/11!
Vezi mai multe