Memoria RAM PNY MN16GSD42666-SB upgradează memoria unui laptop cu o capacitate de 16 GB și o viteză de 2666 MHz. Are formatul 260-pin SO-DIMM și latența CAS 19, iar arhitectura sa este Non-ECC Unbuffered.
Funcționează la o tensiune de 1,2 V și acceptă specificațiile JEDEC și instalarea Plug & Play.
- Tip memorie: DDR4
- Capacitate: 16 GB
- Număr de module: 1
- Viteză memorie: 2666 MHz
- Latență CAS: 19
- Format: 260-pin SO-DIMM
- Arhitectură: Non-ECC Unbuffered
- Tensiune de funcționare: 1,2 V
- Compatibilitate: Laptop
- Instalare: Plug & Play
- Specificații: JEDEC
- Utilizare: Utilizare zilnică și aplicații solicitante
- Cod produs
- MN16GSD42666-SB
Specificatii principale
- Capacitate Totală
- 16 GB
- Tip
- DDR4
- Tip calculator
- Laptop
- Mărime
- SO-DIMM GB
- Utilizare
- Simplu Cotidian
- UDIMM
- Nu
- CUDIMM
- Nu
Caracteristici Speciale
- Module
- 1
- Latenta CAS
- 19
- RGB Lighting
- Nu
Informații importante
Specificațiile sunt colectate de pe site-urile oficiale ale producătorilor. Te rugăm să verifici specificațiile înainte de a finaliza comanda. În cazul în care întâmpini probleme, raportează aici.