Acest HEXFET® Power MOSFET avansat utilizează tehnologii de fabricație de ultimă generație pentru a atinge o rezistență extrem de scăzută în conductivitate RDS(on) pe suprafața de siliciu și un indice E-PULSE redus. Proiectat special pentru condițiile exigente de operare în Plasma Display Panels (PDP), oferă o viteză de comutare de top, rezistență la curenți de vârf ridicați și capacitatea de a funcționa la temperaturi înalte de până la 175°C.